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產(chǎn)品
- 整流器件類
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    通過優(yōu)化二極管Ta/Tb(開通時間/關(guān)斷時間)較軟的恢復(fù)特性，大幅減少諧波振蕩的發(fā)生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規(guī)格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導(dǎo)特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復(fù)特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節(jié)省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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    普通橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    整流橋產(chǎn)品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當(dāng)中的整流，是通過二極管的單向?qū)ㄐ詠硗瓿晒ぷ?；簡單點說，二極管是單向的，它是正向?qū)ê头聪蚪刂?。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時，能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。
    
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    肖特基橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    肖特基整流橋產(chǎn)品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣朔料封裝而成。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開關(guān)速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現(xiàn)與更好的效率提升。
    
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    低壓降橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    LOW VF整流橋產(chǎn)品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據(jù)熱量計算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發(fā)出的熱量越小，相對應(yīng)的有功功率就越高；所以，同功率電路應(yīng)用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
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    逆變橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    逆變橋是由四顆快恢復(fù)二極管整合一起，即將四顆芯片封裝到一個支架上作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點是直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是直流輸出端的“負(fù)極”，另兩個引腳是交流輸入端，外用絕緣塑料封裝而成。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積?。环聪蚧謴?fù)時間為75ns，反向恢復(fù)時間較短, 雜散電容相對較小，所以對EMI 改善有優(yōu)勢。
    
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    采樣橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    一種集成采樣功能的整流橋，即通過采集電路中的輸入電流，實現(xiàn)功率分配、電路保護。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數(shù)，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數(shù)，溫漂小，輸出功率相對穩(wěn)定.精密電阻封裝到整流橋內(nèi)部，可以利用散熱片對精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，性價比高；改善外置精密電阻安裝工藝復(fù)雜、批量生產(chǎn)時電阻值一致性不好、不良率高的問題，提升功率一致性、穩(wěn)定性。大批量生產(chǎn)時一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線路板上跨接通過，主回路過長，導(dǎo)致干擾增加和采集精度偏差的問題
    
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    開關(guān)橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    開關(guān)橋是由四只高速開關(guān)二極管作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    開關(guān)橋
    
    開關(guān)橋有極低的正向壓降與極高的開關(guān)速度，利用其極低的損耗和極快的開關(guān)速度，在電網(wǎng)監(jiān)測、智能電表、儀器儀表等行業(yè)廣泛應(yīng)用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進的封裝工藝，具有低正向壓降的特點。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    高壓肖特基
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低的反向漏電流Ir，體現(xiàn)出良好的低溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋，能更好的滿足高壓輸出電源的高效率、高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源的需求
    
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    低壓降肖特基
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的Trench工藝，具有較低的VF值和極低的高溫漏電流，能更好的滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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  - 快恢復(fù)
    
    普通快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿足各類電源需求
    
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    LOW Trr快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德LOW Trr超快恢復(fù)二極管具有極低的反向恢復(fù)時間Trr和極低的反向恢復(fù)電荷Qrr，并具有超快的開關(guān)速度，應(yīng)用于硬開關(guān)條件下的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開關(guān)速度，減小開關(guān)損耗。
    
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    LOW VF 快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級整流電路。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開關(guān)速度。
    
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    共陰共陽快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德共陰共陽快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    VF值及反向恢復(fù)時間
    
    低VF值，低反向恢復(fù)時間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
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  - 開關(guān)管
    
    全系列
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德開關(guān)二極管具有較快的恢復(fù)時間和高開關(guān)速度的特性，廣泛應(yīng)用于電源、音頻、視頻、無線通信、工業(yè)等領(lǐng)域。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復(fù)時間）,開關(guān)速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
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- 保護器件類
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產(chǎn)品概述
    
    瞬態(tài)抑制二極管，TVS。全系列產(chǎn)品都有。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質(zhì)的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯(lián)在電路中。自然界的感應(yīng)雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現(xiàn)代電子系統(tǒng)面臨嚴(yán)峻的考驗。在電路中產(chǎn)生瞬態(tài)電壓時，TVS利用雪崩原理，以P秒級的反應(yīng)速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護負(fù)載不被損壞。
    
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  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產(chǎn)品概述
    
    抗靜電器件，ESD。針對主流競品，我司均有可替代產(chǎn)品，ESD類我司接受定制物料。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導(dǎo)體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內(nèi)部芯片面積的減少，來獲得了體積小，電容值?。娙莺腕w積是成正比），封裝方式多樣的特點。主要應(yīng)用于一些小型號的便攜設(shè)備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對于ESD TVS 多路防護的產(chǎn)品，也叫陣列產(chǎn)品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    產(chǎn)品概述
    
    陶瓷氣體放電管，GDT。全系列產(chǎn)品都有，目前正在開發(fā)超薄型產(chǎn)品。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內(nèi)充低壓惰性氣體的短路型保護器件，一般分二電極和三電極兩種結(jié)構(gòu)。基本的工作原理是氣體放電。當(dāng)極間的電場強度超過氣體的擊穿強度時，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯(lián)的其它器件得到保護。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    產(chǎn)品概述
    
    氧化鋅壓敏電阻，MOV。我司只做貼片類產(chǎn)品SMD-MOV，以及復(fù)合功能型產(chǎn)品GMOV。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導(dǎo)體非線性電阻原件，所謂壓敏，就是對電壓敏感，當(dāng)電壓達到一定數(shù)值的時候，元件開始動作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    產(chǎn)品概述
    
    半導(dǎo)體放電管，TSS。全系列產(chǎn)品都有。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個無門電極的自由電壓控制的可控硅,當(dāng)電壓超過它的斷態(tài)峰值電壓(或稱雪崩電壓)時，半導(dǎo)體放電會將瞬態(tài)電壓箝制到組件的開關(guān)電壓(或稱轉(zhuǎn)折電壓)值之內(nèi)。電壓繼續(xù)增大時，半導(dǎo)體放電管由于負(fù)阻效應(yīng)進入導(dǎo)通狀態(tài)，只有在當(dāng)電流小于維持電流時，組件才復(fù)位并恢復(fù)到它的高阻抗?fàn)顟B(tài)。
    
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- 功率器件類
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有開關(guān)速度快等特點，能滿足產(chǎn)品溫升和效率的要求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開關(guān)速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Planar MOS
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點，能滿足產(chǎn)品高效和可靠的要求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Trench Mos
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，開關(guān)速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等特點，能滿足產(chǎn)品高效和可靠的要求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    SJ(超結(jié))MOS
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德SJ（超結(jié)）MOS采用多層外延工藝，具有低RDS（on）、結(jié)電容小、Qg 小，易驅(qū)動、開關(guān)速度快的特點，使電源更容易實現(xiàn)高效率，高可靠性。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細(xì)請看產(chǎn)品選型列表）
    
    2
    
    結(jié)電容
    
    結(jié)電容小、Qg小、易驅(qū)動
    
    3
    
    速度
    
    開關(guān)速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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- 第三代半導(dǎo)體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德碳化硅二極管具極小的反向恢復(fù)時間、高浪涌電流、高效可靠的特性，封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開關(guān)速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
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    碳化硅MOS管
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德碳化硅mos管具有低RDS（on）高開關(guān)速度，高效可靠，封裝TOLL、TO-247等
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導(dǎo)通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開關(guān)速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德吸收二極管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同時具有較長的平緩反向恢復(fù)特性，能平緩恢復(fù)電流，應(yīng)用于電源的RCD吸收電路，從而使電源產(chǎn)品達到更好的EMI特性，滿足電源產(chǎn)品高效率、高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負(fù)載時，提升轉(zhuǎn)換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
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  - 軟橋
    
    9K-1M傳導(dǎo)
    
    產(chǎn)品概述
    
    通過優(yōu)化二極管Ta/Tb(開通時間/關(guān)斷時間)較軟的恢復(fù)特性，大幅減少諧波振蕩的發(fā)生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規(guī)格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產(chǎn)品特點
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導(dǎo)特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復(fù)特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節(jié)省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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應(yīng)用領(lǐng)域
技術(shù)創(chuàng)新
技術(shù)社區(qū)
質(zhì)量和體系
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SJ(超結(jié))MOS

產(chǎn)品概述

沃爾德SJ（超結(jié)）MOS采用多層外延工藝，具有低RDS（on）、結(jié)電容小、Qg 小，易驅(qū)動、開關(guān)速度快的特點，使電源更容易實現(xiàn)高效率，高可靠性。

產(chǎn)品特點

1

RDS(ON)

低RDS（on）（詳細(xì)請看產(chǎn)品選型列表）

2

結(jié)電容

結(jié)電容小、Qg小、易驅(qū)動

3

速度

開關(guān)速度快

4

封裝

多種封裝，滿足各類電源需求

電路應(yīng)用

SJ （超結(jié)）MOS電路應(yīng)用介紹內(nèi)容

應(yīng)用領(lǐng)域

工業(yè)電源

醫(yī)療電源

適配器

LED電源

儲能

鋰電池充電器

產(chǎn)品選型

TYPE	Package	Channel	VDSS (V)	VGS (V)	ID (A)	PD (W)	EAS (mJ)	VGS(th) (V) Min.	VGS(th) (V) Max.	RDS(on)@ VGS=10V(mΩ) Typ.	RDS(on)@ VGS=10V(mΩ) Max.	Download
MCR65B380D	TO-252	N	650	±30	11	83	272	2	4	330	380
MCR65T540D	TO-252	N	650	±30	8	125	120	2.5	4.5	450	520
MCR65B580D	TO-252	N	650	±30	7.3	60	129	2	4	520	580
MCR65B600D	TO-252	N	650	±25	7	63	65	2	4	530	620
MCR60B115CTF	TO-220CTF	N	600	±20	26.6	34	492	2	4	100	115
MCR65Z130CTF	TO-220F	N	650	±20	25	34	454	2.5	5	115	130
MCR65F158CTF	TO-220F	N	650	±30	28	192	455	2.5	4.5	121	158
MCR65T160CTF	TO-220F	N	650	±30	22	28.4	405	2.5	4.5	130	160
MCR65B180CTF	TO-220F	N	650	±30	19	36	103	2.5	4.5	150	180
MCR65B260CTF	TO-220F	N	650	±30	15*	32.6	290	2.5	4.5	240	260
MCR65B360CTF	TO-220F	N	650	±30	11.5*	32.6	215	2.5	4.5	310	360
MCR65B380CTF	TO-220F	N	650	±30	9.6	30	40	2.5	4.5	330	380
MCR65B580CTF	TO-220F	N	650	±30	7.3	28	129	2	4	520	580
MCR60F030PT	TO-247	N	600	±30	80	480	2500	3	4	26	30
MCR60F043PT	TO-247	N	600	±30	64	446	457	3	5	36	43
MCR60F075PT	TO-247	N	600	±30	42	329	254	3	5	64	75
MCR65F105PT	TO-247	N	650	±30	30	312	1250	3	5	90	105