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01

高溫直流反向偏壓測試（High Temperature Reverse Bias Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

02

間歇壽命試驗(yàn)測試（Intermittent Operational Life）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

03

工作壽命試驗(yàn)測試（Continuous Operation Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

04

抗靜電能力試驗(yàn)(ESD Test)

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

05

浪涌電流測試（Peak Forward Surge Current Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

06

高溫貯存試驗(yàn)（High Temperature Storage Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

07

低溫貯存試驗(yàn)（Low Temperature Storage Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

08

恒溫恒濕存儲試驗(yàn)（Constant Temperature/Humidity Storage Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

09

溫度循環(huán)測試（Temperature Cycling Test）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

10

耐焊接熱試驗(yàn)/可焊性試驗(yàn)（Solder Heat Resistance Test/ Solderability Test ）

實(shí)驗(yàn)時(shí)機(jī)(計(jì)劃)	試驗(yàn)周期(H)	取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā)	1000	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗(yàn)	1000	77
新物料確認(rèn)	168	77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控	168	22

實(shí)驗(yàn)類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>驗(yàn)證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
實(shí)驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4023、JESD22-A108
實(shí)驗(yàn)條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
實(shí)驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。

沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。

沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級整流電路。

沃爾德共陰共陽快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。

沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。

沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。

沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級整流電路。

沃爾德共陰共陽快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。

沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。

沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。

沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級整流電路。

沃爾德共陰共陽快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。