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質(zhì)量和體系
可靠性實驗
01
高溫直流反向偏壓測試（High Temperature Reverse Bias Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
02
間歇壽命試驗測試（Intermittent Operational Life）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
03
工作壽命試驗測試（Continuous Operation Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
04
抗靜電能力試驗(ESD Test)
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
05
浪涌電流測試（Peak Forward Surge Current Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
06
高溫貯存試驗（High Temperature Storage Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
07
低溫貯存試驗（Low Temperature Storage Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
08
恒溫恒濕存儲試驗（Constant Temperature/Humidity Storage Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
09
溫度循環(huán)測試（Temperature Cycling Test）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
10
耐焊接熱試驗/可焊性試驗（Solder Heat Resistance Test/ Solderability Test ）
實驗時機(計劃) 試驗周期(H) 取樣數(shù)量(PCS)
新品研發(fā) 1000 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
年度試驗 1000 77
新物料確認 168 77*3(依據(jù)AEC-Q101)
月度可靠性監(jiān)控 168 22
  • 實驗類別：環(huán)境（溫度）電應(yīng)力復(fù)合驗證
  • 實驗?zāi)康模?/span>驗證產(chǎn)品在高溫狀態(tài)下芯片的反向工作能力
  • 實驗參考標準： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 實驗條件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 實驗設(shè)備：高溫反偏試驗系統(tǒng)
“智造”品質(zhì)：質(zhì)量作為競爭力的核心要素之一，應(yīng)涵蓋從產(chǎn)品的生產(chǎn)研發(fā)、交付到后續(xù)相關(guān)服務(wù)的整個產(chǎn)品生命周期。
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